Торецк.Онлайн

Сегодня: Четверг, 09.07.2020

Samsung разработала первый в мире четырехгигабитный чип

Дата: 31.01.2009 в 09:35Просмотров: 1066 Автор: sanek 1

Компания Samsung разработала первую в мире микросхему оперативной памяти памяти DDR3 емкостью четыре гигабита. Она выполнена с соблюдением 50-нанометровой технологии и позволит увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 гигабайт. Об этом сообщается в пресс-релизе компании.

Для работы четырехгигабитного чипа памяти DDR3 необходимо напряжение в 1,35 вольта. Это на 20 процентов меньше, чем требуется для работы выпускаемых в настоящее время чипов памяти DDR3.

Энергопотребление 16-гигабайтного модуля DDR3 на базе четырехгигабитных микросхем на 40 процентов меньше энергопотребления аналогичного модуля, созданного на основе двухгигабитных чипов.

Представители Samsung подчеркивают, что четырехгигабитные чипы памяти DDR3 могут использоваться в 16-гигабайтных серверных модулях оперативной памяти RDIMM. Кроме того, они могут стать основой восьмигигабайтных модулей памяти для рабочих станций, настольных ПК и ноутбуков.

В сентябре 2008 года Samsung анонсировал двухгигабитные чипы оперативной памяти, выполненные по 50-нанометровой технологии. В настоящее время линейка 50-нанометровых чипов оперативной памяти DDR3 компании Samsung включает микросхемы объемом один, два и четыре гигабита.

Ошибка в тексте? Выделите и нажмите Ctrl+Enter!

Теги:

Оставить комментарий

Комментарии

Всего комментариев: 1
avatar
1
И скок же это будет стоить.... wacko surprised shok
avatar